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P203:微波射频与5G移动通信-IFWS

IFWS系列会议


氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点,在5G通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。

本分会的主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及HEMT器件在移动通信中的应用等各方面。拟邀请国内外知名专家参加会议,呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。


分会主席:

蔡树军——中国电子科技集团公司第十三研究所副所长

张乃千——苏州能讯高能半导体有限公司董事长

分会委员:

陈堂胜——中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家

刘建利——中兴通讯股份有限公司总工程师

敖金平——日本德岛大学教授、西安电子科技大学教授

张  韵——中科院半导体所研究员

陶国桥——荷兰Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程师


P203:微波射频与5G移动通信/ RF Technology and 5G Mobile Communication

时间:20191127日上午09:00-12:00

地点:深圳会展中心 • 五层玫瑰厅1  (PPT显示比例:4:3)

Time: Nov27th, 2019 09:00-12:10

Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center 5th Floor Rose Hall1

主持人

Moderator

蔡树军/CAI Shujun

河北半导体研究所副所长 / The Deputy Director ofHebei Semiconductor Research Institute

张乃千/ ZHANG Naiqian

苏州能讯高能半导体有限公司董事长/President of Dynax Semiconductor Inc.

09:00-09:25

适用于第五代行动通讯六吋氮化镓微波功放技術及基站功率电源模块The Epi structure and Process Considerations of 6-inch GaN RF HEMT for 5G applications

邱显钦 台湾长庚大学教授

Hsien-Chin CHIU    Professorof Chang Gung University

09:25-09:50

High frequeny GaN HEMTs and MMICs

Peter BRÜCKNER    德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所部门技术部门经理

Peter BRÜCKNER Group Manager of Fraunhofer Institute of Applied Solid State Physics

09:50-10:15

5G 毫米波应用5G mm Wave

刘建利    中兴无线技术总工及技术委员会专家

LIUJianli    Chief Engineer of Wireless Technology of ZTE, Expert of ZTE Technical Committee

10:15-10:35

高频硅基氮化镓晶体管

High-frequency GaN-on-Si transistors

刘志宏   西安电子科技大学教授

LIU Zhihong   Professor of Xidian University

10:35-10:50

茶歇/Coffee Break

10:50-11:15

 5G用毫米波Doherty功率放大器的研制

Development of a 5G Doherty power amplifier with a millimeter wave

张志国  北京国联万众半导体科技有限公司副总经理

Zhang Zhiguo  Deputy General Manager of Beijing advance semiconductor Co.,ltd

11:15-11:35

一种新型毫米波氮化镓高线性晶体管

High-linearity GaN HEMTs for millimeter-wave applications

  凯  南京电子器件研究所高级工程师

ZHANGKai    Senior Engineer of Nanjing Electronic Devices Institute

11:35-11:55

一种用于微波半导体芯片测试的高集成度多参数射频收发模块设计方法

A Highly Integrated Multi-Parameters RF Module for Microwave Semiconductor Testing

张光山 中国电子科技集团第41研究所

ZHANGGuangshan    The 41st Research Institute of CETC

11:55-12:10

A Compact X-band Pallet Power Amplifier Using GaN MMIC and Discrete FETs with HMIC Technology

    河北半导体研究所

Yi Wang  Hebei semiconductor Research Institute

12:10-14:00

午休与POSTER交流 /Adjourn&POSTERCommunication