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P202:功率电子及封装技术(碳化硅和氮化镓)-IFWS

IFWS系列会议


SiCGaN作为第三代半导体材料的典型代表,也代表了功率电子器件的发展方向,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。本分会的主题涵盖碳化硅/氮化镓电力电子器件的新结构与新工艺开发、碳化硅/氮化镓功率电子器件栅驱动设计、高效高速碳化硅/氮化镓功率模块设计与制造,碳化硅/氮化镓封装技术和碳化硅/氮化镓功率应用与可靠性等。分会将邀请国内外知名专家参加本次会议,呈现碳化硅/氮化镓功率电子器件及封装技术研究与应用的最新进展。


分会主席:

盛  况——浙江大学特聘教授,电气工程学院院长

陈  敬——香港科技大学教授

陆国权——美国弗吉尼亚理工大学终身教授

分会委员:

张  波——电子科技大学教授

柏  松——中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员

张进成——西安电子科技大学教授

梁辉南——大连芯冠科技有限公司总经理

  扬——中山大学教授


P202:功率电子器件及封装技术 (GaNSiC)/ Technologies for Power Electronics and Packaging (SiC&GaN)

时间:20191126日全天08:30-18:00

地点:深圳会展中心•六层•茉莉厅  (PPT显示比例:16:9)

Time: Nov 26th, 2019 08:30-18:00

Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center 6th Floor Jasmine Hall

主持人

Moderator

   /SHENG Kuang

浙江大学特聘教授,电气工程学院院长 / Qiushi Distinguished Professor, Dean of the College of Electrical Engineeringof Zhejiang University

   /Kevin J. CHEN

香港科技大学教授 /Professor of the Hong Kong University of Science and Technology

陆国权/Guo-Quan LU

美国弗吉尼亚理工大学终身教授 / Tenured Professor of Virginia Polytechnic Institute and State University,

09:00-09:25

碳化硅功率器件最新进展综述

The latest development of SiC power devices

张清纯  北卡罗来纳州立大学客座教授, PowerAmerica研究院功率器件技术主任

Jon Zhang  Visiting professor of north Carolina state university,

09:25-09:50

碳化硅高压电力电子器件及应用进展

New Progress of SiC high voltage power electronic devices and applications

    国家电网全球能源互联网研究院功率半导体研究所副总工,教授

YANGFeiProfessor &Deputy Chief Engineer of Institute of Power Semiconductor at GlobalEnergyInterconnection Research Institute, State Grid

09:50-10:10

改进碳化硅MOSFET RONSP的器件结构和工艺研究

SiC MOSFET Device Structure and Process Study

丁国华  苏州锴威特半导体股份有限公司总裁

DINGGuohua    CEOofSuzhou Convert Semiconductor Co. Ltd.

10:10-10:30

大电流1.2kV SiC JBS器件浪涌能力电热分析

Electro-thermal Analysis of 1.2kV-100A SiC JBS Diodes Under Current Overload

汤益丹  中国科学院微电子研究所

Yidan TANG     Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences

10:30-10:50

SiC基石墨烯生物芯片

Graphene-on-SiC for gas detection and bio-sensors

Alexander S. USIKOV    美国Nitride Crystals Inc.首席技术官

Alexander S. USIKOV    CTO of Nitride Crystals Inc.USA

10:50-11:05

茶歇/Coffee Break

11:05-11:30

高电压宽禁带功率半导体封装技术

Packaging of high-voltage wide-bandgap power semiconductors

Christina DiMarino 美国弗吉尼亚理工大学助理教授

Christina DiMarino  Assistant Professor at Virginia Polytechnic Institute and State University, USA

11:30-11:50

高功率和高温IGBT及功率模块封装研究

High power & high temperature IGBT and WIDE bandgap power semiconductor modual package

朱文辉  中南大学微电子系创建主任,教授

ZHUWenhuiFounding &director of the department of microelectronics, Central South University

11:50-12:10

宽禁带器件的设计和TCAD模拟

Design and TCAD Simulation of Widegap Semiconductor Devices

李湛明  加拿大CROSSLIGHT半导体软件公司创立人兼总裁

Simon LI    Founder & CEO of CrosslightSoftware Inc., Canada

12:10-14:00

午休与POSTER交流 /Adjourn&POSTERCommunication

14:00-14:25

GaN Power Devices Beyond 650V and 150C

YifengWU    美国Transphorm Inc.高级副总裁

YifengWU    Sr. V.P. of Engineering, Transphorm Inc., USA

14:25-14:50

基于半绝缘GaN衬底生长的高击穿电压GaN HEMT器件

High-breakdown voltage GaN HEMTs fabricated on semi-insulating GaN substrates Masaaki KUZUHARA日本福井大学教授

Masaaki KUZUHARA    Professor of University of Fukui

14:50-15:10

针对带有反向导通检测功能的EGaN HEMT器件的栅极电源电路设计

A Gate Driver IC for E-mode GaN HEMTs with Reverse Conduction Detection

吴伟东  加拿大多伦多大学教授

Wai Tung NG    Professor at University of Toronto

15:10-15:30

常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展

Development of Normally-off AlGaN/GaN HFETs for Power Electronics

敖金平  日本德岛大学教授, 西安电子科技大学特聘教授、

AO Jinping    Professor of the University of Tokushima, Specially-Appointed Professor of Xidian University

15:30-15:45

通过高品质GaNSi外延以实现无碳掺杂的高隔离性和高动态表现

High crystal quality GaN-on-Si to achieve excellent isolation and dynamic performance without carbon doping

Atsushi NISHIKAWA    德国ALLOS Semiconductors首席技术官

Atsushi NISHIKAWA    Chief Technology Officer of ALLOS Semiconductors, Germany

15:45-16:00

茶歇/Coffee Break

16:00-16:20

200mm/8英寸GaN功率器件和基于GaN的电路技术:一个对于衬底供应商、制造商和代工工厂的全新机遇

200mm/8-inch GaN power device and GaN-IC technology: a new opportunity for wafer suppliers, foundries and IDMs

Denis MARCON    比利时IMEC的高级业务发展经理

Denis MARCON    Sr. Business Development Manager in IMEC, Belgium

16:20-16:40

200mm 40V-650V EGaNSi材料功率器件技术:从器件、封装、到系统

200mm 40V-650V E-mode GaN-on-Si Power Technology: from Device, Package, Reliability to System

David C. ZHOU    英诺赛科科技有限公司研发中心副总裁

David C. ZHOU    VP of R&D, Innoscience

16:40-17:00

GaN:启动未来

GaN, Power the Future

    加拿大GaNPower International Inc. 副总裁兼联合创始人

Fred Yue Fu    Vice president and Co-founder of GaNPower International Inc., Canada

17:00-17:20

高铝组分的AlGaN/GaN异质结pH传感器

AlGaN/GaN heterostructure pH sensors with high Al composition in the barrier layer

周继禹  日本德岛大学

ZHOU Jiyu    Tokushima University

17:20-17:40

下一代半导体器件外延制备前期的衬底清理技术

In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor Devices

Ismail I. KASHKOUSH 美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官

Ismail I. KASHKOUSH Chief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA