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P201:衬底、外延及生长装备(氮化镓及碳化硅)-SSL&IFWS系列

SSL&IFWS系列会议


时间:20191126日下午14:00-17:30

地点:深圳会展中心•五层菊花厅  (PPT显示比例:16:9)


碳化硅电力电子器件具备更高的效率、更高的开关频率和更高的工作温度,在新能源发电、电动汽车等一些重要领域展现出其巨大的应用潜力。氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。本分会的主题涵盖氮化镓与碳化硅功率电子技术,包括功率电子芯片、封装、器件、应用及可靠性。分会广泛征集优秀研究成果,将邀请国内外知名专家参加本次会议,充分展示功率电子技术的最新进展。


分会主席:

沈    波——北京大学教授

徐现刚——山东大学教授

分会委员:

徐    科——中国科学院苏州纳米所研究员

毕文刚——河北工业大学教授

王志越——中电科装备集团有限公司首席技术官

杜志游——中微半导体高级副总裁

吴    军——北方华创科技集团股份有限公司副总裁,首席科学家

杨    敏——江苏南大光电材料股份有限公司技术总监

修向前——南京大学教授

陈小龙——中国科学院物理研究所研究员

P201:衬底、外延及生长装备(SiCGaN/ The Technology in Substrate, Epitaxy and Wafer Growth Equipment (SiC&GaN)

时间:20191126日下午14:00-17:30

地点:深圳会展中心•五层菊花厅  (PPT显示比例:16:9)

Time: Nov 26th, 2019 Afternoon 14:00-17:30

Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 5th Floor Chrysanthemum Hall

主持人

Moderator

   / SHEN Bo

北京大学物理学院教授, 理学部副主任/Professor & Deputy Director, Division of Sciences, Peking University

徐现刚/XU Xiangang

山东大学教授,晶体材料国家重点实验室副主任/Professor & Deputy Director of State Key Laboratory of Crystal Material of Shandong University

14:00-14:25

同步辐射X射线衍射表征GaN基体及同质外延薄膜

Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film

坂田修身    日本国立材料研究所SPring-8 BL15XU线站站长,东京工业大学兼职教授 

Osami SAKATA    National Institute for Materials Science (NIMS)Japan

14:25-14:45

In situ coherent x-ray studies of surface dynamics during OMVPE of GaN

鞠光旭    美国亚利桑那州立大学助理教授

Guangxu JU    Assistant Research Professor of Arizona State University, USA

14:45-15:05

Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN Metal Organic Vapor Deposition

Andrey SMIRNOV    俄罗斯STR Group, Inc.资深研发工程师

Andrey SMIRNOV    Senior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia

15:05-15:20

The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrate

Mussaab I. NIASS    郑州大学

Mussaab I. NIASS    Zhengzhou University

15:20-15:40

INDUSTRY4.0 as A Major Opportunity for Electronics Processes and Products

Guido COLOMBO    意大利ORCHESTRA总裁

Guido COLOMBO    President & CEO of ORCHESTRA, Italy

15:40-15:55

茶歇/Coffee Break

15:55-16:15

Interrelationship Between Equipment and PVT Crystal Growth in Silicon Carbide

Larry B. ROWLAND   美国Aymont Technology Inc总裁

Larry B. ROWLAND   CEOofAymont Technology Inc., USA

16:15-16:35

Advanced Chemical Concentration Control for Fabrication of Devices Using SiC

Ismail I. KASHKOUSH    美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官

Ismail I. KASHKOUSH    Chief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA

16:35-16:55

单晶型4H-SiC台阶生长机理

The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes

林伟    厦门大学副教授

LIN Wei    Associate Professor of Xiamen University, China

16:55-17:15

Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures by

Deep Level Transient Spectroscopy

何亚伟    中科院半导体所

HE Yawei    Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences