移动通信风起云涌 第三代半导体微波射频技术如何抢占高地?

2018年对我国移动通信领域来说,充满了不太友好的氛围,一面努力自我生长,一面要抵御外来的压力与挑战,着实不易。伴随着5G时代的来临,移动通信领域的竞争进入火热争夺的关键阶段。

 

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  从技术的角度来看,第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点,在新一代移动通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。谁掌握着技术的高地,谁就拥有更多的话语权,面对激烈又敏感的竞争,第三代半导体氮化镓微波器件有怎样的进展呢?

 

  2018年10月23-25日,第十五届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2018)暨2018国际第三代半导体论坛(IFWS 2018)将在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)深圳市龙华区政府联合主办。深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。

 

  此次论坛特别设置了“第三代半导体微波射频技术”分会,主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及其在移动通信中的应用等各方面。会议将邀请大批国内外知名专家参加会议,力争呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。

 

  其中,中国电子科技集团公司第十三研究所副所长蔡树军和苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千将坐镇分会,共同担任本次分会主席。蔡树军主要研究领域为硅,砷化镓和氮化镓等新型材料器件和电路。在国内外刊物发表专业文章近百篇。张乃千曾率先解决了困扰氮化镓(GaN)器件射频功率输出的电流崩塌效应,为氮化镓微波器件的产业化铺平了道路。他还开发出了世界上第一个氮化镓电力电子器件,开启了氮化镓应用的新篇章和一个全新的产业。曾任职于RFMD,主持开发基站GaAs和GaN射频功放器件。任职Fultec期间,开发出业界首个2千伏GaN开关器件。后回国创办了能讯半导体。2009年入选首批中组部“千人计划”国家特聘专家。

 

  与此同时,分会还吸纳了中兴通讯股份有限公司总工刘建利、日本德岛大学教授,西安电子科技大学教授敖金平、荷兰安谱隆有限责任公司晶圆级可靠性专家陶国桥等众多行业优秀专家,为分会提供坚实的支持。

 

  目前大会正紧锣密鼓的筹备中,将准时为业界献上一场行业饕餮盛宴。敬请期待。

 

  参会咨询

 

  贾 先生

  18310277858

  jiaxl@china-led.net 

  张 小姐

  13681329411

  zhangww@china-led.net 

 

  许 先生

  13466648667

  xujh@china-led.net

 

  更多大会详情敬请关注官网:

 

  www.sslchina.org

 

  www.ifws.org.cn

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