C.H.Liu等人对在不同温度条件下掺Mg的p-GaN外延层的生长情况所作的实验研究表明，通过降低生长温度至800℃，能够获得空穴更集中，更粗糙的表面。具有这样在800℃低温下生长的p-GaN层结构的In_0.23Ga_0.77N/GaN的多量子阱结构（MQW）LEDs，能够将LED的工作电压从3.68伏降至3.36伏，并且能增强20mALED的输出功率。但是这样的结构会使LEDs的电流损耗增加，寿命缩短。