Osram光半导体研制出20mA驱动电流下发光高达100 lm/W的红光300μm×300μm 薄膜LED。这种第三代AlInGaP薄膜器件制作在4英寸外延片上,用特殊的六角棱形刻蚀刻进外延层结构。产品在4月份拉斯维加斯召开的国际灯饰会议上展示,展示的器件中有一种经改进的白光Golden Dragon型LED,据称这种新型LED亮度高于以前产品的25%,发40 lm的光,并具有500mA的最大工作电流。采用 AlInGaP和InGaN芯片作无铅表面粘贴封装,这种器件应用目标是汽车和通用照明,它发射23 lm/W的光。 译自《Compound Semiconductor》May 2004,Vol.10 No.4 p11.
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