英特尔(Intel)日前声称开发出全球首枚全硅激光芯片。该公司的开发小组通过采用受激拉曼散射(stimulated Raman scattering)，排除了通常会导致激光器高效发光的硅间接能带隙的干扰，产生了足够的光增益(达11dB)，使激光发射成功。

　　通过向片上硅波充入0.4微瓦的能量，该小组取得了足够的增益，在1,669.5纳米波长触发了100纳秒的激光脉冲。“有了这样的器件，我们就得以论证了硅和光电的真正融合，”英特尔公司光技术总监Mario Paniccia表示。

　　“为了克服硅芯片间接能带隙的问题，当今的激光开发人员求助于各种材料，如砷化钾和磷化铟。如果能研制出一种能回避硅不发出激光的结构，开发人员将会放弃这些昂贵的材料，而使用便宜的硅，”Paniccia表示

　　为了能研制出与标准CMOS加工设施兼容的集成光元件，英特尔的研究人员提议在硅中采用受激拉曼散射，这种散射利用材料的内部振动来放大光信号，目前在基于砷化钾的光学系统中普遍使用。